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3. Block Diagram
CONTROL AND
I/O BUFFERS
CS
SCK
INTERFACE
PROTECTION LOGIC
AND LATCHES
SRAM
DATA BUFFER
SI
SO
CONTROL
AND
LOGIC
Y-DECODER
Y-GATING
FLASH
WP
X-DECODER
MEMORY
ARRAY
HOLD
4. Memory Array
To provide the greatest flexibility, the memory array of the AT26DF161A can be erased in four
levels of granularity including a full chip erase. In addition, the array has been divided into phys-
ical sectors of various sizes, of which each sector can be individually protected from program
and erase operations. The sizes of the physical sectors are optimized for both code and data
storage applications, allowing both code and data segments to reside in their own isolated
regions. Figure 4-1 on page 5 illustrates the breakdown of each erase level as well as the break-
down of each physical sector.
4
AT26DF161A
3640D–DFLASH–8/09
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